RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Porównaj
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB vs Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
34
Wokół strony -48% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17
16.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.4
9.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
10600
Wokół strony 2.42 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
34
23
Prędkość odczytu, GB/s
16.2
17.0
Prędkość zapisu, GB/s
9.7
13.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
25600
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2636
2936
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB Porównanie pamięci RAM
Kingston HX316C10F/4 4GB
Corsair CM4X4GF2666Z16K4 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2E1 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FARG 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FADP 8GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFX 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
A-DATA Technology AM2P24HC4R1-BUPS 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Samsung SH5724G4UNC26P2-SC 32GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FBD1 8GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Corsair CMK32GX4M4A2666C16 8GB
SK Hynix HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FAD1 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Kingston MSISID4S9S8ME-8 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZN 16GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Crucial Technology BL16G36C16U4B.M8FB1 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link