RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Corsair CMW64GX4M4C3200C16 16GB
Porównaj
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB vs Corsair CMW64GX4M4C3200C16 16GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Wynik ogólny
Corsair CMW64GX4M4C3200C16 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
17.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Corsair CMW64GX4M4C3200C16 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
33
58
Wokół strony -76% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.8
1,950.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Corsair CMW64GX4M4C3200C16 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
58
33
Prędkość odczytu, GB/s
4,241.0
17.2
Prędkość zapisu, GB/s
1,950.7
14.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
651
3595
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Corsair VS1GB800D2 1GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Corsair CMW64GX4M4C3200C16 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Kingston HP37D4U1S8ME-8XR 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSK 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Corsair CMK64GX4M2A2400C16 32GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FGM 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1B1 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GIS 4GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-16GIS 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology BLT8G4D26AFTA.16FBD 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Corsair CM4X16GE2400C16S4 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002 8GB
I’M Intelligent Memory Ltd. PF4OUN-2400CH0-08G-A 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZRF 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FD1 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTZR 32GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link