RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.M8FE 8GB
Porównaj
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB vs Crucial Technology BL8G32C16U4WL.M8FE 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.M8FE 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
18.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.M8FE 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
58
Wokół strony -107% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.6
1,950.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.M8FE 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
58
28
Prędkość odczytu, GB/s
4,241.0
18.2
Prędkość zapisu, GB/s
1,950.7
14.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
651
3384
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Corsair VS1GB800D2 1GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.M8FE 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B2 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston KVR26N19D8/16 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTRGB 8GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 4GB 4GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Corsair CMK32GX4M4A2666C15 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6MFR8N
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.M8FE 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston 9905625-065.A00G 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Kingston 9905624-022.A00G 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Corsair CMK8GX4M1D2400C14 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRG 32GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Kingston XJ69DF-MIE2 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A
ISD Technology Limited IM48GU48N21-FFFHM 8GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Kingston KHYXPX-MIE 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link