RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FN 16GB
Porównaj
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB vs Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FN 16GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FN 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
16.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FN 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
32
58
Wokół strony -81% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.0
1,950.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FN 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
58
32
Prędkość odczytu, GB/s
4,241.0
16.4
Prędkość zapisu, GB/s
1,950.7
13.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
651
3278
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Corsair VS1GB800D2 1GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FN 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FN 16GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Kingston 9905624-025.A00G 8GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTZN 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CMW16GX4M1D3000C16 16GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Kingston ACR24D4S7S1MB-4 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.M16FB 16GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
A-DATA Technology AO2P24HC8T1-BTBS 8GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Samsung M386A4G40DM1-CRC 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FDR2 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3A2 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FDR2 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FDD2 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Kingston 9905624-044.A00G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link