RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GTZR 8GB
Porównaj
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB vs G Skill Intl F4-2666C18-8GTZR 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2666C18-8GTZR 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
17.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2666C18-8GTZR 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
58
Wokół strony -107% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.1
1,950.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GTZR 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
58
28
Prędkość odczytu, GB/s
4,241.0
17.1
Prędkość zapisu, GB/s
1,950.7
14.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
651
3379
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Corsair VS1GB800D2 1GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GTZR 8GB Porównanie pamięci RAM
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GTZR 8GB
SK Hynix HMT451S6AFR8A-PB 4GB
Corsair CMK32GX4M2A2666C16 16GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GRS 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G3B2 64GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Kingston 9905663-021.A00G 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZN 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
A-DATA Technology AM2P24HC8T1-BUSS 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZ 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMK8GX4M2A2400C16 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston 9905665-011.A00G 4GB
Kingston 99U5471-025.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2800C18-8GRS 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
DSL Memory CIR-W4SUSS2408G 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston 9965669-025.A00G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link