RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G3B2 64GB
Porównaj
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G3B2 64GB
Wynik ogólny
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Wynik ogólny
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G3B2 64GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G3B2 64GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
38
77
Wokół strony -103% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
9.3
3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
6.6
2,622.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
5300
Wokół strony 3.62 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G3B2 64GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
77
38
Prędkość odczytu, GB/s
3,405.2
9.3
Prędkość zapisu, GB/s
2,622.0
6.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
19200
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
763
2107
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G3B2 64GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston KHYXPX-HYJ 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-UH 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRS 16GB
Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO10240
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Kingston KHX3200C20S4/16G 16GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Kingston 99U5700-014.A00G 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTRG 8GB
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
Corsair CMU64GX4M4D3000C16 16GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Hua Nan San Xian Technology Co Ltd HNMI8GD4240D0 8GB
Kingston 9965600-023.A00G 16GB
Kingston 9965600-005.A01G 16GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Kingston KF3600C17D4/8GX 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-3400C16-16GVR 16GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Kingston CBD24D4S7D8MA-16 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 C17 4GB 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link