RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD2 4GB
Porównaj
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB vs Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD2 4GB
Wynik ogólny
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD2 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.6
16.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
19200
Wokół strony 1.33% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD2 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
33
Wokół strony -43% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.3
12.0
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD2 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
33
23
Prędkość odczytu, GB/s
17.6
16.4
Prędkość zapisu, GB/s
12.0
12.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
19200
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2910
2723
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD2 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD2 4GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Crucial Technology BL16G30C15U4B.M16FE1 16GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Apacer Technology 78.C1GQ5.C7C0B 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
V-GEN D4H4GS24A8 4GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Corsair CMK8GX4M2B3733C17 4GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Samsung M391A1K43BB1-CRC 8GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Teikon TMA451S6AFR8N-TFSC 4GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston XJ69DF-HYA 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8FADG 4GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-2400 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Kingston 9905701-010.A00G 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Kingston 9905678-105.A00G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link