RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTRS 16GB
Porównaj
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB vs G Skill Intl F4-3600C18-16GTRS 16GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3600C18-16GTRS 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
20.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3600C18-16GTRS 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
58
Wokół strony -93% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.0
1,950.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTRS 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
58
30
Prędkość odczytu, GB/s
4,241.0
20.8
Prędkość zapisu, GB/s
1,950.7
16.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
651
3773
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Corsair VS1GB800D2 1GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTRS 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTRS 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Kingston 99U5665-004.A00G 4GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
SK Hynix HMAA4GS6CJR8N-XN 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BF1S 16GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Kingston 9965589-008.D02G 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FR 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
InnoDisk Corporation M4S0-AGS1O5IK 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Corsair CMK16GX4M2A2400C16 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston LV32D4U2S8ME-16X 16GB
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB
Crucial Technology CB16GU2666.C8ET 16GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C4FE 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Apacer Technology 78.C1GMM.AUC0B 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link