RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTRS 16GB
Porównaj
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB vs G Skill Intl F4-3600C18-16GTRS 16GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3600C18-16GTRS 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
20.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3600C18-16GTRS 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
58
Wokół strony -93% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.0
1,950.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTRS 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
58
30
Prędkość odczytu, GB/s
4,241.0
20.8
Prędkość zapisu, GB/s
1,950.7
16.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
651
3773
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Corsair VS1GB800D2 1GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTRS 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Crucial Technology BL8G30C15U4B.M8FE1 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Kingston X2YH1K-MIE-NX 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C
Kingston 9965669-009.A00G 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GFT 4GB
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM8G 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FB 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology BLT16G4D30BET4.C16FD 16GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Kingston X2YH1K-MIE-NX 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Samsung M391A1G43EB1-CRC 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Micron Technology 16G2666CL19 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Corsair CMK32GX4M2D3600C18 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTRS 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G4AT 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link