RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Apacer Technology 78.D2GF2.AU30B 16GB
Porównaj
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Apacer Technology 78.D2GF2.AU30B 16GB
Wynik ogólny
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Wynik ogólny
Apacer Technology 78.D2GF2.AU30B 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
32
Wokół strony 22% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.1
14.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Apacer Technology 78.D2GF2.AU30B 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.2
10.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Apacer Technology 78.D2GF2.AU30B 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
25
32
Prędkość odczytu, GB/s
16.1
14.6
Prędkość zapisu, GB/s
10.1
11.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2764
2476
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Apacer Technology 78.D2GF2.AU30B 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6JJR8N
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Corsair CMW16GX4M2C3200C14 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FB 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.M16FA 16GB
Samsung M471A4G43MB1-CTD 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C15 Series 4GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Smart Modular SF464128CKHIWDFSEG 4GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Corsair CMD16GX4M4C3200C16 4GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Tanbassh 8G 2666MHZ 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Transcend Information JM2400HSB-8G 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3466C16-4GTZ 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
SK Hynix HMA82GR7MFR8N-UH 16GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17S/8G 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link