RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3466C16-4GTZ 4GB
Porównaj
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs G Skill Intl F4-3466C16-4GTZ 4GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3466C16-4GTZ 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3466C16-4GTZ 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
19
46
Wokół strony -142% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
20
2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.8
1,519.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
3200
Wokół strony 5.31 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3466C16-4GTZ 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
19
Prędkość odczytu, GB/s
2,909.8
20.0
Prędkość zapisu, GB/s
1,519.2
15.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
3200
17000
Other
Opis
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
3-3-3-12 / 400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
241
3192
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-4GTZ 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GVKA 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Corsair CMK128GX4M8Z2933C16 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Samsung M393A4K40BB1-CRC 32GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Corsair CMT64GX4M4K3600C16 16GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Kingston 9965604-016.C01G 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FN 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Samsung M474A1G43DB0-CPB 8GB
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
Corsair CMK16GX4M2Z2933C16 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-32GTZR 32GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston KHX3200C20S4/32GX 32GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Corsair CMK32GX4M4B3333C16 8GB
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
Apacer Technology 78.CAGMT.40C0B 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston KST-2133MHZ-4G 4GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Kingston HP32D4S2S1ME-4 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link