RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3466C16-4GTZ 4GB
Confronto
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs G Skill Intl F4-3466C16-4GTZ 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-3466C16-4GTZ 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Segnala un bug
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-3466C16-4GTZ 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
19
46
Intorno -142% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
20
2
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
15.8
1,519.2
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
3200
Intorno 5.31 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3466C16-4GTZ 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
46
19
Velocità di lettura, GB/s
2,909.8
20.0
Velocità di scrittura, GB/s
1,519.2
15.8
Larghezza di banda della memoria, mbps
3200
17000
Other
Descrizione
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Temporizzazioni / Velocità di clock
3-3-3-12 / 400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
241
3192
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Confronto tra le RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-4GTZ 4GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVR 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Ramaxel Technology RMSA3310MJ86H9F-3200 4GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF8G 8GB
SK Hynix HMT31GR7BFR4C-H9 8GB
Corsair CM4B4G1J2400A14K 4GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Kingston 9965669-017.A00G 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Kingston 9965657-011.A00G 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GVK 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FB 4GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Corsair CMWX16GC3200C16W2E 16GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.B1GN3.4032B 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Apacer Technology GD2.1527WC.001 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Samsung M393A4K40BB0-CPB 32GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHA0 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link