RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZ 8GB
Porównaj
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB vs G Skill Intl F4-4000C19-8GTZ 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZ 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
17.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZ 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
58
Wokół strony -115% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.1
1,950.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZ 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
58
27
Prędkość odczytu, GB/s
4,241.0
17.7
Prędkość zapisu, GB/s
1,950.7
15.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
651
3491
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Corsair VS1GB800D2 1GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZ 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZ 8GB
Unigen Corporation U51U7200N8DD-BDH 4GB
G Skill Intl F4-3733C17-4GVK 4GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology BLE8G4D40BEEAK.M8FE1 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Kingston MSI26D4S9D8ME-16 16GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Corsair CMH32GX4M2Z3200C16 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKY 8GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6B1 8GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
Panram International Corporation W4N2400PS-8G 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Micron Technology M471A1K43BB1-CRC 8GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BZ4SHD 8GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BD7S 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Corsair CMD8GX4M2B3866C18 4GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FB 4GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
V-GEN D4M8GL26A8TS6 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link