RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GR26C16S8K1HU408 8GB
Porównaj
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB vs GIGA - BYTE Technology Co Ltd GR26C16S8K1HU408 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Wynik ogólny
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GR26C16S8K1HU408 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
17.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GR26C16S8K1HU408 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
58
Wokół strony -100% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.8
1,950.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GR26C16S8K1HU408 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
58
29
Prędkość odczytu, GB/s
4,241.0
17.3
Prędkość zapisu, GB/s
1,950.7
10.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
651
2968
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Corsair VS1GB800D2 1GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GR26C16S8K1HU408 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMK64GX4M4K3733C17 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
PNY Electronics PNY 2GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Apacer Technology 78.B1GET.AU00C 4GB
Samsung M471A5244CB0-CRC 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FB 8GB
SK Hynix HMT31GR7BFR4C-H9 8GB
Samsung M471A4G43BB1-CWE 32GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology BLE8G4D40BEEAK.M8FE1 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Corsair CMD64GX4M4B3000C15 16GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2J1 16GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
G Skill Intl F4-2400C14-16GRK 16GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GTZR 8GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-3G2J1 4GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-VK 4GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GVKB 16GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Corsair CM4X16GE2400Z16K4 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
G Skill Intl F4-2933C14-16GFX 16GB
Mushkin 991586 2GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTRGB 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link