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Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GR26C16S8K1HU408 8GB
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Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB vs GIGA - BYTE Technology Co Ltd GR26C16S8K1HU408 8GB
Pontuação geral
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Pontuação geral
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GR26C16S8K1HU408 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
4
17.3
Valor médio nos testes
Razões a considerar
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GR26C16S8K1HU408 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
29
58
Por volta de -100% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
10.8
1,950.7
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
6400
Por volta de 3.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GR26C16S8K1HU408 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
58
29
Velocidade de leitura, GB/s
4,241.0
17.3
Velocidade de escrita, GB/s
1,950.7
10.8
Largura de banda de memória, mbps
6400
21300
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
651
2968
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB Comparações de RAM
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Corsair CMK64GX4M4K3733C17 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5403-002.A00G 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZ 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Smart Modular SF464128CKHIWDFSEG 4GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
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