RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Golden Empire CL15-17-17 D4-3000 8GB
Porównaj
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB vs Golden Empire CL15-17-17 D4-3000 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Wynik ogólny
Golden Empire CL15-17-17 D4-3000 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
17.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Golden Empire CL15-17-17 D4-3000 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
32
58
Wokół strony -81% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.6
1,950.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Golden Empire CL15-17-17 D4-3000 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
58
32
Prędkość odczytu, GB/s
4,241.0
17.3
Prędkość zapisu, GB/s
1,950.7
12.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
651
3023
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Corsair VS1GB800D2 1GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Golden Empire CL15-17-17 D4-3000 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZRX 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Crucial Technology 16G4UD2400.C16BD1 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Avant Technology W6451U67J5213NB 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19/16GN 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C17 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Kingston HP32D4S2S1ME-8 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kingston KF3600C16D4/8GX 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTRSB 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Corsair CMWX16GC3600C18W2D 16GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology BLS16G4D32AEST.M16FE 16GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FBD1 8GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Corsair CMK16GX4M2Z3466C16 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link