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Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Golden Empire CL15-17-17 D4-3000 8GB
比较
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB vs Golden Empire CL15-17-17 D4-3000 8GB
总分
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
总分
Golden Empire CL15-17-17 D4-3000 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
17.3
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Golden Empire CL15-17-17 D4-3000 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
32
58
左右 -81% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
12.6
1,950.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Golden Empire CL15-17-17 D4-3000 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
58
32
读取速度,GB/s
4,241.0
17.3
写入速度,GB/s
1,950.7
12.6
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
651
3023
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB RAM的比较
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Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905624-025.A00G 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Corsair CMWX8GF2666C16W4 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMK32GX4M2A2400C16 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZSWC 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Mushkin 99[2/7/4]198F 8GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.B1GN3.AZ32B 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Apacer Technology 78.BAGM6.40C0B 4GB
Crucial Technology BL8G30C15U4B.M8FE1 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE1 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Corsair CMD16GX4M4B3333C16 4GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1A1 16GB
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