RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-UH 8GB
Porównaj
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-UH 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-UH 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
16.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-UH 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
58
Wokół strony -107% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.7
1,950.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-UH 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
58
28
Prędkość odczytu, GB/s
4,241.0
16.2
Prędkość zapisu, GB/s
1,950.7
12.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
651
2417
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Corsair VS1GB800D2 1GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-UH 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CT51264BF160BJ.M8F 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
G Skill Intl F4-2933C16-16GTZRX 16GB
Corsair CMX32GX3M4A1600C11 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266641 4GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FADG 4GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Corsair CM4X8GF2666C16K8 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Samsung M393A2K43BB1-CPB 16GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FBD2 4GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GVR 8GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Corsair CMT32GX4M4C3466C16 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Mushkin 99[2/7/4]200[F/T] 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Corsair CMK8GX4M1D2666C16 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Apacer Technology 78.BAGSR.4030B 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMK16GX4M2A2400C16 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Kingston KHX3200C20S4/8G 8GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Corsair CMD32GX4M2A2666C15 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link