RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-UH 8GB
Comparez
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-UH 8GB
Note globale
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Note globale
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-UH 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
16.2
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-UH 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
28
58
Autour de -107% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.7
1,950.7
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
6400
Autour de 3 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-UH 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
58
28
Vitesse de lecture, GB/s
4,241.0
16.2
Vitesse d'écriture, GB/s
1,950.7
12.7
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
19200
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
651
2417
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB Comparaison des RAM
Corsair VS1GB800D2 1GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-UH 8GB Comparaison des RAM
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CT51264BF160BJ.M8F 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Apacer Technology D12.2344DT.001 4GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4266 C18 Series 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Samsung M386A8K40BMB-CPB 64GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2B1 32GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Samsung M474A2K43BB1-CRC 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSK 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Corsair CMW32GX4M4K4000C19 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW2 8GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Samsung M393A4K40CB1-CRC 32GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
A-DATA Technology AO1P26KCST2-BWWS 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6AFR6N
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSBK.8FBD 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Kingston KHX4133C19D4/8GX 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link