RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Kingston 9905734-082.A00G 16GB
Porównaj
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB vs Kingston 9905734-082.A00G 16GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Wynik ogólny
Kingston 9905734-082.A00G 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
18.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Kingston 9905734-082.A00G 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
31
58
Wokół strony -87% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.6
1,950.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
6400
Wokół strony 4 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Kingston 9905734-082.A00G 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
58
31
Prędkość odczytu, GB/s
4,241.0
18.1
Prędkość zapisu, GB/s
1,950.7
15.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
25600
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
651
3600
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Corsair VS1GB800D2 1GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Kingston 9905734-082.A00G 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FB 8GB
G Skill Intl F3-1600C11-4GIS 4GB
Golden Empire CL15-17-17 D4-3200 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJW 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Apacer Technology 78.C1GMM.AUF0B 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Kingston KHX3200C20S4/16G 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMW16GX4M2D3600C16 8GB
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
Transcend Information JM2666HLE-16G 16GB
Elpida EBJ41UF8BDW0-GN-F 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3B1 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CM4X16GE2666Z16K4 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3866C18 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GIS 16GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Samsung M378A2K43BB1-CRC 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link