RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Kingston KC5N22-MIE 16GB
Porównaj
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB vs Kingston KC5N22-MIE 16GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Wynik ogólny
Kingston KC5N22-MIE 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
13.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Kingston KC5N22-MIE 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
51
58
Wokół strony -14% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.7
1,950.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
6400
Wokół strony 4 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Kingston KC5N22-MIE 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
58
51
Prędkość odczytu, GB/s
4,241.0
13.1
Prędkość zapisu, GB/s
1,950.7
12.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
25600
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
651
2805
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Corsair VS1GB800D2 1GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Kingston KC5N22-MIE 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston KVR533D2N4 512MB
Team Group Inc. TEAMGROUP-Ind-2666 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Kingston KC5N22-MIE 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Corsair CMK32GX4M4B3466C16 8GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260MH78HAF-2666 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GIS 16GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GVKC 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Samsung M378A2K43BB1-CRC 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Corsair CM4X4GF2666Z16K4 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESE.M16FE 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GFX 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Kllisre M471A1K43CB1-CTD 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3000C16B 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C18 Series 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Teikon TMA851S6AFR6N-UHHC 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link