RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Kingston KC5N22-MIE 16GB
Сравнить
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB против Kingston KC5N22-MIE 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Средняя оценка
Kingston KC5N22-MIE 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
13.1
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Kingston KC5N22-MIE 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
51
58
Около -14% меньшая задержка
Выше скорость записи
12.7
1,950.7
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
6400
Около 4 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Kingston KC5N22-MIE 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
58
51
Скорость чтения, Гб/сек
4,241.0
13.1
Скорость записи, Гб/сек
1,950.7
12.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
25600
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
651
2805
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB Сравнения RAM
Corsair VS1GB800D2 1GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Kingston KC5N22-MIE 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.M8FADG 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
V-Color Technology Inc. TL48G30S816KRGB 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6B1 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Kingston 9905701-004.A00G 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-4GRRD 4GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-2933C14-16GTZRX 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology BLE16G4D30AEEA.K16FB 16GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Kingston KC5N22-MIE 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FF 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.C8FP 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Samsung M378A1K43BB2-CRC 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZR 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Corsair CMW16GX4M1Z3600C18 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Kingston KHX3466C19D4/8G 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link