RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Kingston KHX2400C15D4/4G 4GB
Porównaj
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB vs Kingston KHX2400C15D4/4G 4GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Wynik ogólny
Kingston KHX2400C15D4/4G 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
16.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Kingston KHX2400C15D4/4G 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
31
58
Wokół strony -87% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.5
1,950.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Kingston KHX2400C15D4/4G 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
58
31
Prędkość odczytu, GB/s
4,241.0
16.9
Prędkość zapisu, GB/s
1,950.7
12.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
651
2909
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Corsair VS1GB800D2 1GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Kingston KHX2400C15D4/4G 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-32GTZN 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Corsair CMU64GX4M4C3000C15 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology CB4GU2400.M8E 4GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Panram International Corporation W4U2400PS-8G 8GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Corsair CM4X4GF2666C16K4 4GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GVR 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMD64GX4M8B3200C16 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology BLM8G40C18U4BL.M8FE1 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.M4FE 8GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4A-H9 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.8FBD 4GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
G Skill Intl F4-3300C16-4GRKD 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C18 Series 16GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Kllisre D4 8G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link