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Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Kingston KHX2400C15D4/4G 4GB
Confronto
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB vs Kingston KHX2400C15D4/4G 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Punteggio complessivo
Kingston KHX2400C15D4/4G 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
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Velocità di lettura più elevata, GB/s
4
16.9
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Kingston KHX2400C15D4/4G 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
31
58
Intorno -87% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.5
1,950.7
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
6400
Intorno 3 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Kingston KHX2400C15D4/4G 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
58
31
Velocità di lettura, GB/s
4,241.0
16.9
Velocità di scrittura, GB/s
1,950.7
12.5
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
19200
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
651
2909
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB Confronto tra le RAM
Corsair VS1GB800D2 1GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Kingston KHX2400C15D4/4G 4GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXPS 8GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FAD1 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Kingston RB24D4U7S8MB-8 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GVR 4GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBR2 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C18 Series 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200
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