RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Kingston KHX2666C13/8GX 8GB
Porównaj
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB vs Kingston KHX2666C13/8GX 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Wynik ogólny
Kingston KHX2666C13/8GX 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
17.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Kingston KHX2666C13/8GX 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
58
Wokół strony -100% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.4
1,950.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Kingston KHX2666C13/8GX 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
58
29
Prędkość odczytu, GB/s
4,241.0
17.2
Prędkość zapisu, GB/s
1,950.7
13.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
651
3311
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Corsair VS1GB800D2 1GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Kingston KHX2666C13/8GX 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Kingston KHX2666C13/8GX 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMK8GX4M1E3200C16 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZ 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Crucial Technology CT32G4DFD8266.M16FB 32GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMD32GX4M4B3000C15 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMK32GX4M1A2666C16 32GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FHP 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17042C 4GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1A2 4GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Corsair CM4X8GD3600C18K2D 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Crucial Technology BL16G30C15U4WL.M16FE 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Samsung M471A2K43CB1-CRC 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Corsair CMW64GX4M4K3600C18 16GB
SK Hynix HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.M16 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link