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Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Kingston KHX2666C13/8GX 8GB
Comparar
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB vs Kingston KHX2666C13/8GX 8GB
Pontuação geral
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Pontuação geral
Kingston KHX2666C13/8GX 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
4
17.2
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Kingston KHX2666C13/8GX 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
29
58
Por volta de -100% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
13.4
1,950.7
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
6400
Por volta de 3 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Kingston KHX2666C13/8GX 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
58
29
Velocidade de leitura, GB/s
4,241.0
17.2
Velocidade de escrita, GB/s
1,950.7
13.4
Largura de banda de memória, mbps
6400
19200
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
651
3311
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB Comparações de RAM
Corsair VS1GB800D2 1GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Kingston KHX2666C13/8GX 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BL8G32C16U4WL.M8FE1 8GB
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Avant Technology J642GU42J9266N2 16GB
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SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Corsair CM4X8GD3200C16K2E 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
V-GEN D4S4GL32A16TS 4GB
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