RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2B2 32GB
Porównaj
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB vs Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2B2 32GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Wynik ogólny
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2B2 32GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
15.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2B2 32GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
32
58
Wokół strony -81% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.7
1,950.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
6400
Wokół strony 4 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2B2 32GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
58
32
Prędkość odczytu, GB/s
4,241.0
15.7
Prędkość zapisu, GB/s
1,950.7
13.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
25600
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
651
3322
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Corsair VS1GB800D2 1GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2B2 32GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston HP26D4U9S1ME-4 4GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Crucial Technology BLE4G4D30AEEA.K8FE 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B2 32GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Corsair CMV16GX4M1A2400C16 16GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FE 16GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
A-DATA Technology AO2P32NCST2-BZ7SHD 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Asgard VMA44UI-MEC1U2AW2 32GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CM4X8GE2133C13K4 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Essencore Limited IM4AGS88N24-FFFHA0 16GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G213381S 8GB
Golden Empire CL5-5-5DDR2 1GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FBD 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FHP 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17082C 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832160B 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link