RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B2 32GB
Porównaj
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B2 32GB
Wynik ogólny
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Wynik ogólny
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B2 32GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
15.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,622.0
11.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B2 32GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
35
77
Wokół strony -120% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
5300
Wokół strony 4.02 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B2 32GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
77
35
Prędkość odczytu, GB/s
3,405.2
15.4
Prędkość zapisu, GB/s
2,622.0
11.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
21300
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
763
2926
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B2 32GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.16FE 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6AFR8N
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-4800C18-8GTRG 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B2 32GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
NSITEXE Inc Visenta 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMSO8GX4M1A2133C15 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Kingston 9905670-012.A00G 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Apacer Technology 78.BAGSR.4030B 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Corsair CMH32GX4M4D3600C18 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GTZR 32GB
Mushkin 991586 2GB
SK Hynix HMA82GU7AFR8N-UH 16GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Kingston 99U5624-001.A00G 8GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESEK.M8FE1 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FE 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMD32GX4M4A2400C14 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link