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Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B2 32GB
比较
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B2 32GB
总分
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
总分
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B2 32GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
15.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,622.0
11.8
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B2 32GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
35
77
左右 -120% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
21300
5300
左右 4.02 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B2 32GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
77
35
读取速度,GB/s
3,405.2
15.4
写入速度,GB/s
2,622.0
11.8
内存带宽,mbps
5300
21300
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
763
2926
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CM4X8GE3000C15K4 8GB
Elpida EBJ40UG8BBU0-GN-F 4GB
Kingston 9905702-400.A00G 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.16F 8GB
Transcend Information TS512MSH64V1H 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Kingston 9905598-039.A00G 16GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Micron Technology 9ASF51272AZ-2G3B1 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Kingston X5H5PW-MIB 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Lexar Co Limited LD4AS016G-H3200GST 16GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3600C16-32GVK 32GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Apacer Technology GD2.1129WH.001 16GB
Kingston 9965525-058.A00LF 8GB
SK Hynix HMA82GU6MFR8N-TF 16GB
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