RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G6E1 16GB
Porównaj
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB vs Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G6E1 16GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Wynik ogólny
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G6E1 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
58
64
Wokół strony 9% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
18
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G6E1 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.5
1,950.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G6E1 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
58
64
Prędkość odczytu, GB/s
4,241.0
18.0
Prędkość zapisu, GB/s
1,950.7
8.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
651
2197
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Corsair VS1GB800D2 1GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G6E1 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZSW 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G6E1 16GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FR 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
A-DATA Technology AO1E34RCTV2-BZWS 32GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Kingston 9905630-018.A00G 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Kingston 9905678-065.A00G 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Corsair CMD16GX4M2B3466C16 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Corsair CMK64GX4M4K3733C17 16GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Corsair CMK16GX4M4A2400C14 4GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Corsair CMH32GX4M4D3600C18 8GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Corsair CMR64GX4M8X3800C19 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-2666C18-32GVK 32GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-4GRS 4GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link