RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
关于本网站
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
关于本网站
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G6E1 16GB
比较
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB vs Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G6E1 16GB
总分
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
总分
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G6E1 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
58
64
左右 9% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
4
18
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G6E1 16GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
8.5
1,950.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
6400
左右 3.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G6E1 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
58
64
读取速度,GB/s
4,241.0
18.0
写入速度,GB/s
1,950.7
8.5
内存带宽,mbps
6400
21300
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
651
2197
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB RAM的比较
Corsair VS1GB800D2 1GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G6E1 16GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZB 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FAD 4GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-ED4-2400 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Essencore Limited KD48GU880-36A180Z 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Crucial Technology CB8GU2400.C8D 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FE 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CM4X8GF2666C18S2 8GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB
Mushkin MR[A/B]4U280HHHH8G 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKWC 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
Kingston KHX1600C10D3/8G 8GB
Kllisre KHX1866C10D3/8G 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G6E1 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GTZR 32GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL30A8TX5 4GB
报告一个错误
×
Bug description
Source link