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Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZB 8GB
比较
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB vs G Skill Intl F4-3333C16-8GTZB 8GB
总分
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
总分
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZB 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
18.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,201.1
14.1
测试中的平均数值
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZB 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
21
74
左右 -252% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZB 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
74
21
读取速度,GB/s
4,178.4
18.7
写入速度,GB/s
2,201.1
14.1
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
508
3380
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Kingston 9905625-036.A00G 16GB
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G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Eudar Technology Inc. 8GXMP3000CL16 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Kingston 9905625-036.A00G 16GB
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