RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZB 8GB
Porównaj
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB vs G Skill Intl F4-3333C16-8GTZB 8GB
Wynik ogólny
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZB 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
18.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,201.1
14.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZB 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
21
74
Wokół strony -252% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZB 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
74
21
Prędkość odczytu, GB/s
4,178.4
18.7
Prędkość zapisu, GB/s
2,201.1
14.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
508
3380
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZB 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Kingston 9905630-030.A00G 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FB 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Asgard VMA41UH-MEC1U2AW1 16GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C16 Series 8GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZSW 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Kllisre M471A3243BB0-CP50 16GB
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
Kingston 9905471-079.A00LF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP512R72P4-
SK Hynix HMAA4GS6CJR8N-XN 32GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZB 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Corsair CMG16GX4M2E3200C16 8GB
Kingston KHX1600C10D3/8GXF 8GB
Corsair CM4X32GE2666C18S2 32GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Micron Technology 36ADS2G72PZ-2G1A1 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMR64GX4M4C3200C16 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link