RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Micron Technology 18ADF2G72PZ-2G3B1 16GB
Porównaj
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB vs Micron Technology 18ADF2G72PZ-2G3B1 16GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Wynik ogólny
Micron Technology 18ADF2G72PZ-2G3B1 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
11.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology 18ADF2G72PZ-2G3B1 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
32
58
Wokół strony -81% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.7
1,950.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Micron Technology 18ADF2G72PZ-2G3B1 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
58
32
Prędkość odczytu, GB/s
4,241.0
11.8
Prędkość zapisu, GB/s
1,950.7
8.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
651
2585
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Corsair VS1GB800D2 1GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Micron Technology 18ADF2G72PZ-2G3B1 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
InnoDisk Corporation M4U0-8GSSKCSJ 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZRX 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Apacer Technology 78.C1GMM.BAC0B 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Kingmax Semiconductor GLLH23F-18KIIP------ 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3000
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Kingston 9905743-023.A00G 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Crucial Technology BL16G26C16U4R.16FE 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Corsair CMK16GX4M1A2400C16 16GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Kingston 9965667-001.A00G 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Apacer Technology GD2.1527WE.001 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
AMD R748G2400U2S 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Panram International Corporation PUD43000C158G2NJK 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FE 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston 9965667-001.A00G 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link