RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Micron Technology 18ADF2G72PZ-2G3B1 16GB
Compara
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB vs Micron Technology 18ADF2G72PZ-2G3B1 16GB
Puntuación global
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Puntuación global
Micron Technology 18ADF2G72PZ-2G3B1 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
11.8
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 18ADF2G72PZ-2G3B1 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
32
58
En -81% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.7
1,950.7
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
6400
En 3 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Micron Technology 18ADF2G72PZ-2G3B1 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
58
32
Velocidad de lectura, GB/s
4,241.0
11.8
Velocidad de escritura, GB/s
1,950.7
8.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
19200
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
651
2585
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB Comparaciones de la memoria RAM
Corsair VS1GB800D2 1GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Micron Technology 18ADF2G72PZ-2G3B1 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Micron Technology 18ADF2G72PZ-2G3B1 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Panram International Corporation PUD43000C164G2NJK 4GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Kingston KTP9W1-MIE 16GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Kingston 9905734-018.A00G 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Corsair CMK128GX4M8A2133C13 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MB-24R 16GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-4GRS 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CMT16GX4M2C3200C16 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Hewlett-Packard 7EH61AA# 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZA 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B2 32GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
SK Hynix HMAA2GU6CJR8N-XN 16GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Kingston HP26D4U9S8ME-8 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Kingmax Semiconductor GLLG43F-D8KBGA------ 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link