RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Porównaj
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB vs Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Wynik ogólny
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
39
58
Wokół strony -49% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
8.7
4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
6.2
1,950.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
58
39
Prędkość odczytu, GB/s
4,241.0
8.7
Prędkość zapisu, GB/s
1,950.7
6.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
651
1842
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Corsair VS1GB800D2 1GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB Porównanie pamięci RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Corsair CMK32GX4M4B3200C14 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Kingston 9905665-020.A00G 4GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Kingston 9965604-008.D00G 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMW32GX4M4C3200C16 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston CBD26D4U9S8ME-8 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Teclast TLD416G26A30 16GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Teikon TMA81GU6AFR8N-UHSC 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C18 Series 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C14 Series 8GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GVKA 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Roa Logic BV W4U2666CX1-8G 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GFT 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Wilk Elektronik S.A. IRXS2666D464L16/16G 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD2 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link