RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Micron Technology 9ASF1G72AZ-2G3B1 8GB
Porównaj
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB vs Micron Technology 9ASF1G72AZ-2G3B1 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Wynik ogólny
Micron Technology 9ASF1G72AZ-2G3B1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
15
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology 9ASF1G72AZ-2G3B1 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
22
58
Wokół strony -164% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
6.8
1,950.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Micron Technology 9ASF1G72AZ-2G3B1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
58
22
Prędkość odczytu, GB/s
4,241.0
15.0
Prędkość zapisu, GB/s
1,950.7
6.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
651
2272
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Corsair VS1GB800D2 1GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Micron Technology 9ASF1G72AZ-2G3B1 8GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology BL8G30C15U4WL.M8FE1 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKO 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3600A 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRS 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
A-DATA Technology AD4S320038G22-B 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.M8FR 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
SK Hynix HMA82GS6AFR8N-UH 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-3600C18A 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-4266C16-8GTZR 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMR64GX4M4C3200C16 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FE 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Kingston 9905624-007.A00G 8GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FR 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link