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Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Micron Technology 9ASF1G72AZ-2G3B1 8GB
Comparar
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB vs Micron Technology 9ASF1G72AZ-2G3B1 8GB
Pontuação geral
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Pontuação geral
Micron Technology 9ASF1G72AZ-2G3B1 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
4
15
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Micron Technology 9ASF1G72AZ-2G3B1 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
22
58
Por volta de -164% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
6.8
1,950.7
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
6400
Por volta de 3 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Micron Technology 9ASF1G72AZ-2G3B1 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
58
22
Velocidade de leitura, GB/s
4,241.0
15.0
Velocidade de escrita, GB/s
1,950.7
6.8
Largura de banda de memória, mbps
6400
19200
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
651
2272
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB Comparações de RAM
Corsair VS1GB800D2 1GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Micron Technology 9ASF1G72AZ-2G3B1 8GB Comparações de RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FARG? 4GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Ramaxel Technology RMUA5200MR78HAF-3200 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Corsair CMK64GX4M4A2133C13 16GB
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