RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Mushkin 99[2/7/4]204[F/T] 4GB
Porównaj
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB vs Mushkin 99[2/7/4]204[F/T] 4GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Wynik ogólny
Mushkin 99[2/7/4]204[F/T] 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
12.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Mushkin 99[2/7/4]204[F/T] 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
58
Wokół strony -93% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.4
1,950.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Mushkin 99[2/7/4]204[F/T] 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
58
30
Prędkość odczytu, GB/s
4,241.0
12.2
Prędkość zapisu, GB/s
1,950.7
9.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
651
2354
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Corsair VS1GB800D2 1GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Mushkin 99[2/7/4]204[F/T] 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Corsair CMSX32GX4M2A2666C18 16GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Corsair CMD16GX4M2B3200C14 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FF 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZSW 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
EVGA 8GX-D4-2800-MR 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXWB 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE22G64AP-RQ 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Corsair CMK8GX4M2A2400C14 4GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
Samsung M378A2K43CB1-CTD 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
A-DATA Technology AO2P21FC8R2-BRGS 8GB
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
Kingston MSI26D4S9S8HJ-8 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-UH 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Panram International Corporation W4U2400PS-4G 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
‹
›
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link