RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM8G 8GB
Porównaj
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB vs Mushkin MR[ABC]4U360JNNM8G 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Wynik ogólny
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM8G 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
19.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM8G 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
58
Wokół strony -107% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.5
1,950.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM8G 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
58
28
Prędkość odczytu, GB/s
4,241.0
19.8
Prędkość zapisu, GB/s
1,950.7
14.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
651
3650
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Corsair VS1GB800D2 1GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM8G 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FB 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160UD102408-2666 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Avant Technology J642GU42J9266NF 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVB 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022R432GX2-3600C18A 32GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Corsair CM4X8GE2400C16K4 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Samsung SF4721G4CKHH6DFSDS 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
V-GEN D4H8GL36A8TXV 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Kingston 99U5663-006.A00G 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FB 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology BL8G36C16U4BL.M8FE1 8GB
Kingston KHX1866C10D3/8GX 8GB
Samsung M378B1G73AH0-CH9 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2J1 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSDK.8FD 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link