RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM8G 8GB
Porównaj
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB vs Mushkin MR[ABC]4U360JNNM8G 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Wynik ogólny
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM8G 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
19.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM8G 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
58
Wokół strony -107% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.5
1,950.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM8G 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
58
28
Prędkość odczytu, GB/s
4,241.0
19.8
Prędkość zapisu, GB/s
1,950.7
14.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
651
3650
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Corsair VS1GB800D2 1GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM8G 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM8G 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston 9965662-009.A00G 16GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Kingston 9905665-021.A00G 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston KHX3600C18D4/16GX 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 99U5663-003.A00G 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3400 C16 Series 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Corsair CMU32GX4M4C3400C16 8GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBR2 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
V-GEN D4S4GL32A16TS 4GB
Crucial Technology BL8G36C16U4B.M8FE1 8GB
Kingston KF548C38-16 16GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Samsung M378A2K43CB1-CRC 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology BLE4G4D32AEEA.K8FE 4GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTRG 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Corsair CMK64GX4M2A2666C16 32GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link