RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM8G 8GB
Porównaj
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB vs Mushkin MR[ABC]4U360JNNM8G 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Wynik ogólny
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM8G 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
19.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM8G 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
58
Wokół strony -107% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.5
1,950.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM8G 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
58
28
Prędkość odczytu, GB/s
4,241.0
19.8
Prędkość zapisu, GB/s
1,950.7
14.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
651
3650
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Corsair VS1GB800D2 1GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM8G 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM8G 8GB
SK Hynix HMAA4GS6MJR8N-VK 32GB
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
Kingston 9905403-092.A00LF 2GB
Kingston 9905403-170.A00LF 2GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston HP26D4U9S8ME-8 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXWB 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002S 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Corsair CMSX64GX4M2A2933C19 32GB
A-DATA Technology AM1U16BC4P2-B19H 4GB
Kingston KHX2400C14D4/16G 16GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Corsair CM4X4GF2400C14K4 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZSWC 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Kingston 9905744-023.A00G 16GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Corsair CMK64GX4M2A2400C16 32GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
A-DATA Technology AO1P26KCST2-BWWS 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link