RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM8G 8GB
Сравнить
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB против Mushkin MR[ABC]4U360JNNM8G 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Средняя оценка
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM8G 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
19.8
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM8G 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
58
Около -107% меньшая задержка
Выше скорость записи
14.5
1,950.7
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
6400
Около 3.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM8G 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
58
28
Скорость чтения, Гб/сек
4,241.0
19.8
Скорость записи, Гб/сек
1,950.7
14.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
21300
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
651
3650
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB Сравнения RAM
Corsair VS1GB800D2 1GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM8G 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS6266.M4FB 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM8G 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Apacer Technology 78.BAGN8.40C0B 4GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Samsung M378A2K43CB1-CTD 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FD 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZNC 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GS1NCIK 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Kingston 9932291-002.A00G 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FE 16GB
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-D8---------- 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Corsair CMK32GX4M2E3200C16 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
A-DATA Technology AM1P26KCST2-BABS 16GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
Apacer Technology 78.CAGMR.40C0B 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6J1 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link