RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FE 16GB
Сравнить
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB против Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FE 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Средняя оценка
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FE 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
32
Около 19% меньшая задержка
Причины выбрать
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FE 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16.6
12.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.7
9.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
10600
Около 2.01 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FE 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
26
32
Скорость чтения, Гб/сек
12.8
16.6
Скорость записи, Гб/сек
9.0
13.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
21300
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2143
3357
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Сравнения RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FE 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FE 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Corsair CMK32GX4M4C3000C15 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Kingston 9965589-026.D00G 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Kingston KVR24N17S8/4 4GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Dust Leopard DDR4-2400 C17 4GB 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston X75V1H-MIE 32GB
AMD R9S48G3206U2S 8GB
A-DATA Technology DDR3 1866 8GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Corsair CMSX8GX4M1A2666C18 8GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GTRS 32GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMR16GX4M2C3000C16 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMK16GX4M2A2400C16 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C15 Series 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link