RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FE 16GB
Porównaj
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FE 16GB
Wynik ogólny
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FE 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
32
Wokół strony 19% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FE 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.6
12.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.7
9.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FE 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
32
Prędkość odczytu, GB/s
12.8
16.6
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
13.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2143
3357
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Porównanie pamięci RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FE 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTRG 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GRR 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Apacer Technology GD2.1140CH.001 4GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKO 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZA 16GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2R1 8GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Ramsta Ramsta-2400Mhz-8G 8GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZR 16GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
DSL Memory D4SS1G081SH24A-A 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Kingston KMKYF9-MIH 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GVK 32GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.16FE 16GB
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZKKC 8GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
G Skill Intl F4-4266C16-8GTZR 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kllisre DDR4-8GB 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link