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Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FE 16GB
比较
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FE 16GB
总分
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
总分
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FE 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
26
32
左右 19% 更低的延时
需要考虑的原因
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FE 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
16.6
12.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.7
9.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FE 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
26
32
读取速度,GB/s
12.8
16.6
写入速度,GB/s
9.0
13.7
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2143
3357
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair VS2GB1333D4 2GB
Kingston KF3200C16D4/32GX 32GB
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