RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Ramaxel Technology RMSA3310MJ86H9F-3200 4GB
Porównaj
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB vs Ramaxel Technology RMSA3310MJ86H9F-3200 4GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Wynik ogólny
Ramaxel Technology RMSA3310MJ86H9F-3200 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
14.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Ramaxel Technology RMSA3310MJ86H9F-3200 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
39
58
Wokół strony -49% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.3
1,950.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
6400
Wokół strony 4 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Ramaxel Technology RMSA3310MJ86H9F-3200 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
58
39
Prędkość odczytu, GB/s
4,241.0
14.8
Prędkość zapisu, GB/s
1,950.7
12.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
25600
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
651
2188
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Corsair VS1GB800D2 1GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Ramaxel Technology RMSA3310MJ86H9F-3200 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Ramaxel Technology RMSA3310MJ86H9F-3200 4GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266681S 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FJ 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZ 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMR128GX4M8X3800C19 16GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRBB 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Corsair CMU16GX4M2C3000C15 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESCK.M8FE 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR11 4GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Good Wealth Technology Ltd. 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMW64GX4M8C3466C16 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston CBD32D4S2S1ME-8 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link