RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Ramaxel Technology RMSA3310MJ86H9F-3200 4GB
Сравнить
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB против Ramaxel Technology RMSA3310MJ86H9F-3200 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Средняя оценка
Ramaxel Technology RMSA3310MJ86H9F-3200 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
14.8
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Ramaxel Technology RMSA3310MJ86H9F-3200 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
39
58
Около -49% меньшая задержка
Выше скорость записи
12.3
1,950.7
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
6400
Около 4 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Ramaxel Technology RMSA3310MJ86H9F-3200 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
58
39
Скорость чтения, Гб/сек
4,241.0
14.8
Скорость записи, Гб/сек
1,950.7
12.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
25600
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
651
2188
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB Сравнения RAM
Corsair VS1GB800D2 1GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Ramaxel Technology RMSA3310MJ86H9F-3200 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Century Micro Inc. CENTURY JAPAN MEMORY 8GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZN 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Samsung M393B1K70DH0-YK0 8GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7AFR8N
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
SpecTek Incorporated 16G 2666 CL 19 16GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Samsung M471A1K43CBCBCRC 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Kingston 9905598-019.A00G 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17S/8G 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Ramaxel Technology RMUA5120MB86H9F2400 4GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Kingmax Semiconductor GLJG42F-D8KBFA------ 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FAD1 8GB
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G6E1 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E8x-2666 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link