RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDZS 8GB
Porównaj
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDZS 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Wynik ogólny
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDZS 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
46
58
Wokół strony 21% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
16.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDZS 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.2
1,519.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
3200
Wokół strony 8 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDZS 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
58
Prędkość odczytu, GB/s
2,909.8
16.3
Prędkość zapisu, GB/s
1,519.2
12.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
3200
25600
Other
Opis
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Taktowanie / szybkość zegara
3-3-3-12 / 400 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
241
2591
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDZS 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Kingston ACR32D4U2S8HD-8X 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Kingston KF3200C20S4/32GX 32MB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FBD1 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMK16GX4M2K4000C19 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Kingston KMKYF9-HYA 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FJ 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Samsung M471A1K43BB1-CTD 8GB
Crucial Technology RM51264BA1339.16FR 4GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL 4GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-4GVK 4GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FJ 16GB
Corsair CMK32GX5M2B5600C36 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FAD 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link