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Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDZS 8GB

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDZS 8GB

总分
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Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB

总分
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A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDZS 8GB

A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDZS 8GB

差异 规格 评论

差异

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB 需要考虑的原因
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
报告一个错误
  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    46 left arrow 58
    左右 21% 更低的延时
  • 更快的读取速度，GB/s
    2 left arrow 16.3
    测试中的平均数值
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDZS 8GB 需要考虑的原因
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDZS 8GB
报告一个错误
  • 更快的写入速度，GB/s
    12.2 left arrow 1,519.2
    测试中的平均数值
  • 更高的内存带宽，mbps
    25600 left arrow 3200
    左右 8 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDZS 8GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR2 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时，ns
    46 left arrow 58
  • 读取速度，GB/s
    2,909.8 left arrow 16.3
  • 写入速度，GB/s
    1,519.2 left arrow 12.2
  • 内存带宽，mbps
    3200 left arrow 25600
Other
  • 描述
    PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
  • 时序/时钟速度
    3-3-3-12 / 400 MHz left arrow 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    241 left arrow 2591

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