RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Apacer Technology 78.CAGPP.ARC0B 8GB
Porównaj
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Apacer Technology 78.CAGPP.ARC0B 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Wynik ogólny
Apacer Technology 78.CAGPP.ARC0B 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
46
76
Wokół strony 39% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
13.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Apacer Technology 78.CAGPP.ARC0B 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
5.8
1,519.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
3200
Wokół strony 6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Apacer Technology 78.CAGPP.ARC0B 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
76
Prędkość odczytu, GB/s
2,909.8
13.8
Prędkość zapisu, GB/s
1,519.2
5.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
3200
19200
Other
Opis
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
3-3-3-12 / 400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
241
1415
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Apacer Technology 78.CAGPP.ARC0B 8GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
PNY Electronics PNY 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Corsair CMT16GX4M2K3600C16 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3866C18-16GTZR 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GTZ 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Corsair CMK4GX4M1D2400C14 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRH3200D464L16S/8G 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Wilk Elektronik S.A. IRH3000D464L16S/8G 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4400C19-16GTZR 16GB
Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Transcend Information JM2666HSE-16G 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C18 Series 32GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2133 C14 Series 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Apacer Technology 78.B1GN3.AZ32B 4GB
Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB
Kingston HX432C15PB3/16G 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRK 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link