RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Transcend Information JM2666HSE-16G 16GB
Porównaj
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB vs Transcend Information JM2666HSE-16G 16GB
Wynik ogólny
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Wynik ogólny
Transcend Information JM2666HSE-16G 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
38
39
Wokół strony 3% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.5
13.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.0
9.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
21300
Wokół strony 1.2% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Transcend Information JM2666HSE-16G 16GB
Zgłoś błąd
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Transcend Information JM2666HSE-16G 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
38
39
Prędkość odczytu, GB/s
15.5
13.4
Prędkość zapisu, GB/s
12.0
9.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
21300
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2283
2529
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Transcend Information JM2666HSE-16G 16GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Samsung M378A1K43BB2-CRC 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Essencore Limited IM4AGU88A30-FGGHMB 16GB
Nanya Technology NT4GC64C88B1NS-DI 4GB
Corsair CMW32GX4M4A2666C16 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GVK 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-D8KFGA------ 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Kingston 9905702-119.A00G 8GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2800 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GVKA 16GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Apacer Technology 78.C1GM3.C7Z0C 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMG16GX4M2D3600C18 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FD2 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Corsair CMT64GX4M4C3466C16 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVK 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link