RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Apacer Technology 78.CAGSZ.4070B 8GB
Porównaj
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Apacer Technology 78.CAGSZ.4070B 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Wynik ogólny
Apacer Technology 78.CAGSZ.4070B 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
16.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Apacer Technology 78.CAGSZ.4070B 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
22
46
Wokół strony -109% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.4
1,519.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
3200
Wokół strony 6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Apacer Technology 78.CAGSZ.4070B 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
22
Prędkość odczytu, GB/s
2,909.8
16.9
Prędkość zapisu, GB/s
1,519.2
13.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
3200
19200
Other
Opis
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
3-3-3-12 / 400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
241
2855
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Apacer Technology 78.CAGSZ.4070B 8GB Porównanie pamięci RAM
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
A-DATA Technology AO2P24HC8T1-BTBS 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.16FDD1 16GB
Samsung M471B5773CHS-CF8 2GB
Samsung M471B5273CH0-CF8 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CMD64GX4M4C3000C15 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXKB 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL30A8TX5 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Gowe Technology Co. Ltd. GSA16G4SCL196P-26 16GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Kingston MSI24D4S7S8S8-8 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Crucial Technology BL32G32C16S4B.16FB 32GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.M16FAD 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD2 4GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Kingston 9965589-033.D00G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link